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CSD88539ND规格参数_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 72 2023-11-23 09:57:58
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
CSD88539ND的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
CSD88539ND功能图
CSD88539ND规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 60 |
| 配置 | Dual |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 28 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 46 |
| QG(型)(nC) | 14 |
| QGD(型)(nC) | 2.3 |
| QGS(类型)(nC) | 4.6 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 3 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 11.7 |
| ID -套餐有限公司(A) | 15 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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