CSD25481F4前往购买
CSD25481F4规格参数_功能图_原装现货
IC先生 网络 99 2023-11-23 16:22:56
该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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CSD25481F4的特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD25481F4功能图
CSD25481F4规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 105 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 175 |
| VGS=1.8 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 800 |
| Id峰值(max) (A) | -10 |
| Id max cont (A) | -2.5 |
| QG(型)(nC) | 0.913 |
| QGD(型)(nC) | 0.153 |
| QGS(类型)(nC) | 0.24 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.95 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 2.5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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