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CSD13202Q2中文参数_功能图_现货出售
IC先生 网络 111 2023-11-23 08:05:59
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
CSD13202Q2的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
CSD13202Q2功能图
CSD13202Q2规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 9.3 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 76 |
| QG(型)(nC) | 5.1 |
| QGD(型)(nC) | 0.76 |
| QGS(类型)(nC) | 0.98 |
| vg (V) | 8 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 14.4 |
| ID -套餐有限公司(A) | 22 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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