BSZ086P03NS3 G前往购买
BSZ086P03NS3 G规格参数_产品特性_现货专卖
IC先生 网络 98 2023-12-06 09:36:58
英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。
BSZ086P03NS3 G规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.34 |
| 独联体 | 3190 pF |
| 输出电容 | 1520 pF |
| ID(@25°C) | -40 A |
| IDpuls | -160 A |
| 工作温度 | -55 °C ; 150 °C |
| Ptot | 69 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 |
| 极性 | P |
| QG(类型@10V) | 43.2 nC |
| RDS (on) (@10V) | 8.6 mΩ |
| 仅仅 | 1.8 K/W |
| VDS公司 | -30 V |
| vg (th) | -2.5 V |
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