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IRFH6200产品参数_产品特点_原装销售

IC先生 网络 84 2023-12-06 11:43:55

StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(上)和大电流能力进行了优化该器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机,电池管理系统,逆变器和直流-直流转换器。


IRFH6200


IRFH6200的特性

  • 工业标准表面贴装电源封装
  • 产品质量符合JEDEC标准
  • 硅优化的应用切换低于100 kHz
  • 与上一代硅相比,更柔软的体二极管
  • 广泛的投资组合

  • IRFH6200优势

  • 标准引脚允许在更换下降
  • 行业标准资质等级
  • 在低频应用中具有高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员选择最适合其应用的设备提供了灵活性

  • IRFH6200规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.87
    ID(@25°C) 49 A
    湿度敏感等级1
    越来越多的SMD
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 250 W
    ptt (@ TA=25°C) 3.6 W
    SuperSO8 5x6
    极性N
    QG (type @4.5V)155 nC
    Qgd53 nC
    RDS (on) (@4.5V) 0.99 mΩ
    RDS (on) (@10V) 0.95 mΩ
    RthJC 0.5 K/W
    Tj 150 °C
    VDS公司 20 V
    vg (th) 0.8 V   0.5 V   1.1 V
    vg 12 V
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