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IPW65R019C7产品规格_功能图_现货出售
IC先生 网络 53 2023-12-06 14:11:41
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。
IPW65R019C7的特性
- 650V 电压
- 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
- 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
- 低栅极电荷Qg
- 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
- 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验
IPW65R019C7优势
- 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
- 低通态损耗/小封装
- 低开关损耗
- 提高轻载效率
- 增加功率密度
- 出色的CoolMOS™质量
IPW65R019C7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 14.24 |
| ID(@25°C) | 75 A |
| ID | 75 A |
| IDpuls | 496 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 446 W |
| 包 | TO-247 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 215 nC |
| 路上 | 215 nC |
| RDS (on) (@10V) | 19 mΩ |
| RDS(上) | 19 mΩ |
| 仅仅 | 0.28 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.28 K/W |
| 特殊功能 | highest performance |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
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