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IPP60R022S7中文规格_产品特征_现货出售
IC先生 网络 22 2023-12-07 09:02:29
凭借降低传导损耗的优化设计，采用 TO-220 的 600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET (IPP60R022S7) 在低开关频率应用中实现最佳 RDS(on) x 成本，例如有源桥式整流器、倒相级、浪涌继电器、PLC、HV DC 线、电源固态继电器和固态断路器等应用。600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 实现更高能效，降低 BOM 费用。
IPP60R022S7的特性
- TO-220 中的同类最佳 RDS(on)
- 传导性能经过优化
- 改善热阻
- 高脉冲电流容量
IPP60R022S7优势
- 尽可能降低传导损耗
- 增加能效
- 更精巧与轻便的设计
- 消除或减少固态设计的散热器
- 降低总体拥有成本 (TCO) 或物料清单 (BOM) 费用
IPP60R022S7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 23 A |
| IDpuls | 375 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 390 W |
| 包 | TO-220 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 150 nC |
| 路上 | 150 nC |
| RDS (on) (@10V) | 22 mΩ |
| RDS(上) | 22 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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芯片
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