IPD60R180C7前往购买
IPD60R180C7规格参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 76 2023-12-07 17:34:20
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！
CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。
IPD60R180C7的特性
- 开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss
- 最佳品质因数 Q G*R DS(on)
- 开关频率增加
- 世界上最佳的 R (on)*A
- 坚固体二极管
IPD60R180C7优势
- 可在不损失效率的情况下增加开关频率
- 为轻负载和满载效率测量显示关键参数
- 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
- 对于相同的 R DS(on)，包装更小
- 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置
IPD60R180C7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.27 |
| ID(@25°C) | 13 A |
| ID | 13 A |
| IDpuls | 45 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 68 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 24 nC |
| 路上 | 24 nC |
| RDS (on) (@10V) | 180 mΩ |
| RDS(上) | 180 mΩ |
| 仅仅 | 1.83 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 1.83 K/W |
| 特殊功能 | highest performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
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