IPP65R041CFD7中文规格_产品特点_原装现货
IC先生 网络 82 2023-12-07 17:54:47
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R041CFD7 采用 TO-247 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。
作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPP65R041CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。
IPP65R041CFD7的特性
- 采用超快体二极管,Qrr 极低
- 650V 击穿电压
- 相较于竞品,开关损耗显著降低
- RDS(on) 的温度依赖性极低
IPP65R041CFD7优势
- 出色的硬换向稳健性
- 总线电压提高,为设计提供额外安全裕度
- 可实现更高的功率密度
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
- 相较于市面上的替代产品,价格更具竞争力
IPP65R041CFD7规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
ID(@25°C) | 50 A |
ID | 50 A |
IDpuls | 211 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 227 W |
包 | TO-220 |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 102 nC |
路上 | 102 nC |
RDS (on) (@10V) | 41 mΩ |
RDS(上) | 41 mΩ |
VDS公司 | 650 V |
vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明:
部分文章信息来源于网络以及网友投稿,本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑,是出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯