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IPD60R380P6中文参数_功能图_现货出售

IC先生 网络 22 2023-12-07 11:31:01

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计,填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。


IPD60R380P6


IPD60R380P6的特性

  • 减少栅极电荷 (Q g)
  • 更高的 V th
  • 体二极管耐久性良好
  • 经过优化的集成 R g
  • dv/dt 从 50V/ns
  • 提高CoolMOS™ 的质量得益于英飞凌在超结技术领域拥有超过 12 年的制造经验

IPD60R380P6优势

  • 提高了效率,特别是在轻载条件下
  • 具备提前关闭功能,可提高软开关应用效率
  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 优化了效率与易用性以及对开关行为的良好控制性之间的平衡
  • 坚固性高,效率更高
  • 出色的质量和可靠性

IPD60R380P6规格参数

产品属性属性值
预算价格€/ 10000.71
ID(@25°C) 10.6 A
ID 10.6 A
IDpuls 29 A
越来越多的SMT
工作温度 -55 °C   150 °C
Ptot 83 W
DPAK (TO-252)
销数3 Pins
极性N
QG(类型@10V)19 nC
路上19 nC
RDS (on) (@10V) 380 mΩ
RDS(上) 380 mΩ
仅仅1.5 K/W
RthJA 62 K/W
RthJC 1.5 K/W
特殊功能price/performance
VDS公司 600 V
vg (th) 4 V   3.5 V   4.5 V
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文章标签: 芯片
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