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IMZA65R083M1H中文参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 24 2023-12-07 14:58:22
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
英飞凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。
IMZA65R083M1H的特性
- 低电容
- 更高电流下经过优化的开关行为
- 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
- 卓越的门极氧化可靠性
- 出色的热性能
- 更高的雪崩耐量
- 可使用标准驱动程序
- 4 引脚封装
IMZA65R083M1H优势
- 高性能、高可靠性和易用性
- 实现高系统效率
- 降低系统成本和复杂性
- 减小系统尺寸
- 适用于具有硬换向事件的拓扑
- 适用于高温和恶劣的运行条件
- 实现双向拓扑
IMZA65R083M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 26 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 83 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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