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IPN80R1K4P7中文参数_产品特征_原装原厂
IC先生 网络 57 2023-12-07 16:12:06
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。
与其前代产品相比，这一新产品系列可提供高达0.6％的效率增益；与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比，MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DS（on）产品，实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。
IPN80R1K4P7的特性
- 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss
- 同类中较为出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ
- 同类中较为出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V
- 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级（HBM）
- 出色的质量和可靠性
- 完全优化的组合
IPN80R1K4P7优势
- 相比于 CoolMOS™ C3，它具有 0.1% 至 0.6% 效率增益并使 MOSFET 温度降低 2°C 到 8°C
- 可实现更高功率密度设计、节约更多 BOM 以及更低的装配成本
- 易于驱动和设计
- 通过减少ESD相关故障，提高产量
- 减少生产问题，减少外部退货
- 易于选择合适的零件来优化设计
IPN80R1K4P7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.31 |
| ID(@25°C) | 4 A |
| ID | 4 A |
| IDpuls | 8.9 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 7 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 10 nC |
| 路上 | 10 nC |
| Qgd | 5 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1400 mΩ |
| RDS(上) | 1400 mΩ |
| RthJA | 160 K/W |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 800 V |
| vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
| vg | 2.5 V 3.5 V |
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