IPTG063N15NM5前往购买
IPTG063N15NM5中文规格_产品特点_原装原厂
IC先生 网络 76 2023-12-08 10:54:06
OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG063N15NM5 采用改良型鸥翼式TO引脚 封装。TOLG 封装尺寸与无引脚 TO 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7 封装相比，TOLG 封装具有出色的电气性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款新型封装的OptiMOS™ 5 150 V的 RDS(on) 非常低，而且经过优化，可承受大电流。
得益于鸥翼式引脚的灵活性，TOLG 封装型 OptiMOS™ 在 Al-IMS 电路板上表现出了优异的焊点可靠性。因此其板上热循环 (TCoB) 性能较标准要求 (IPC-9701) 高出 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
IPTG063N15NM5的特性
- 卓越技术
- 高额定电流
- 低振铃效应和低电压过冲
- 相较于 D2PAK 7 引脚封装，占板面积减少 60%
- 鸥翼式引脚
IPTG063N15NM5优势
- 高性能
- 高系统可靠性
- 高效率，低 EMI
- 优化电路板利用率
- 出色的板上热循环性能
IPTG063N15NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 122 A |
| ID(@25°C) | 122 A |
| IDpuls | 488 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 214 W |
| 包 | TOLG (HSOG-8) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 50 nC |
| 路上 | 50 nC |
| RDS(上) | 6.3 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 6.3 mΩ |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3.8 V 3 V 4.6 V |
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