IPB60R210CFD7中文参数_产品功能_原装销售
IC先生 网络 68 2023-12-08 17:15:45
这款采用D2PAK封装的600 v CoolMOS™cfd7超级结MOSFET IPB60R210CFD7是英飞凌针对高功率smp(如服务器,电信和dev充电站)谐振拓扑的解决方案它具有显著的效率改进以及最低的FOM RDS(上)x Qgand eos继cfd2 SJ MOSFET系列之后,cfd7具有更低的栅极电荷,改进的关断行为,与竞争对手相比,反向恢复电荷降低了69%。
IPB60R210CFD7的特性
IPB60R210CFD7优势
IPB60R210CFD7规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
ID(@25°C) | 12 A |
ID | 12 A |
IDpuls | 42 A |
越来越多的 | SMT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 64 W |
包 | D2PAK (TO-263) |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 23 nC |
路上 | 23 nC |
RDS (on) (@10V) | 210 mΩ |
RDS(上) | 210 mΩ |
VDS公司 | 600 V |
vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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