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IPB60R210CFD7中文参数_产品功能_原装销售

IC先生 网络 68 2023-12-08 17:15:45

这款采用D2PAK封装的600 v CoolMOS™cfd7超级结MOSFET IPB60R210CFD7是英飞凌针对高功率smp(如服务器,电信和dev充电站)谐振拓扑的解决方案它具有显著的效率改进以及最低的FOM RDS(上)x Qgand eos继cfd2 SJ MOSFET系列之后,cfd7具有更低的栅极电荷,改进的关断行为,与竞争对手相比,反向恢复电荷降低了69%。


IPB60R210CFD7


IPB60R210CFD7的特性

  • 超高速体二极管
  • 一流的反向回收费用(Qrr)
  • 提高反向二极管dv/dt和dif/dt的稳健性
  • 最低fms RDS(on) x Qg和EOSS
  • 一流的RDS(on)/封装组合

  • IPB60R210CFD7优势

  • 一流的硬换相坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率,突出的易用性/性能权衡
  • 实现更高的功率密度解决方案

  • IPB60R210CFD7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 12 A
    ID 12 A
    IDpuls 42 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 64 W
    D2PAK (TO-263)
    销数3 Pins
    极性N
    QG(类型@10V)23 nC
    路上23 nC
    RDS (on) (@10V) 210 mΩ
    RDS(上) 210 mΩ
    VDS公司 600 V
    vg (th) 4 V   3.5 V   4.5 V
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    IPB60R210CFD7中文参数_产品功能_原装销售


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    文章标签: 芯片
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