IPT60R150G7前往购买
IPT60R150G7中文参数_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 56 2023-12-07 17:39:29
CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。
IPT60R150G7的特性
CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET
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出色的FOM R DS（on） * E oss 和R DS（on） * Q G.
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出色的R Ds(on) ，其所占空间最小
TO-Leadless封装
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内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)
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符合MSL1标准、完全无铅、具有易于肉眼检查带槽引线
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提高热性能Rth
IPT60R150G7优势
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得益于封装低寄生源电感和4pin开尔文源概念，C7 Gold技术得以改进，切换速度更快，从而实现了更高的效率
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通过替换TO封装（高度限制）或由于热或R DS（on） 要求对SMD封装进行并联，在小封装中实现了低RDS（on），从而提高了功率密度
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通过转向表面贴装（SMD），加快装配时间，从而能降低生产成本
IPT60R150G7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.64 |
| ID(@25°C) | 17 A |
| ID | 17 A |
| IDpuls | 45 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 106 W |
| 包 | TOLL (HSOF-8) |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 23 nC |
| 路上 | 23 nC |
| Qgd | 8 nC |
| RDS (on) (@10V) | 150 mΩ |
| RDS(上) | 150 mΩ |
| 仅仅 | 1.18 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 1.18 K/W |
| 特殊功能 | highest performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
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