ISS55EP06LM前往购买
ISS55EP06LM规格参数_产品特征_原厂出售
IC先生 网络 64 2023-12-08 10:52:57
SOT-23封装的OptiMOS™p通道60 v mosfet非常适合负载开关,电池管理以及反极性保护应用OptiMOS™p沟道mosfet的主要优点是简化了中低功耗应用的设计复杂性英飞凌的OptiMOS p沟道mosfet与微控制器(单片机)的简单接口,快速开关以及雪崩坚固性使其适合高质量要求的应用由于低路上,该产品在低负载下提高了效率有正常电平和逻辑电平两种,具有宽RDS(上)范围。
ISS55EP06LM的特性
ISS55EP06LM优势
ISS55EP06LM规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.03 |
| ID(@25°C) | -0.18 A |
| IDpuls | -0.72 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 0.4 W |
| 包 | SOT-23 |
| 极性 | P |
| QG(类型@10V) | -0.59 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 7000 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 5500 mΩ |
| 特殊功能 | Small Signal |
| VDS公司 | -60 V |
| vg (th) | -1.5 V |
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芯片
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