IPW65R190CFD产品规格_产品特点_原装现货
IC先生 网络 41 2023-12-08 13:15:25
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先高压 CoolMOS™ MOSFET,具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品,能效进一步提升。更软的换向行为以及更优秀的电磁干扰行为,使这款产品比竞争产品明显更具优势。
IPW65R190CFD的特性
- 采用 650V 技术并集成快速体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲
- 与 600V CFD 技术相比,Qg 显著降低
- 更窄的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
- 设计导入容易
- 与 600V CFD 技术相比,价格更低
IPW65R190CFD优势
- 体二极管重复换向时 Qrr 低,从而降低开关损耗
- 自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低 Qoss
- 减少导通和关断延迟时间
- 出色的 CoolMOS™ 质量
IPW65R190CFD规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 1.69 |
ID(@25°C) | 17.5 A |
ID | 17.5 A |
IDpuls | 57.2 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 151 W |
包 | TO-247 |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 68 nC |
路上 | 68 nC |
RDS (on) (@10V) | 190 mΩ |
RDS(上) | 190 mΩ |
仅仅 | 0.83 K/W |
RthJA | 62 K/W |
RthJC | 0.83 K/W |
特殊功能 | fast recovery diode |
VDS公司 | 650 V |
vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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