IMW120R014M1H中文参数_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 48 2023-12-08 13:18:19
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
IMW120R014M1H的特性
- 出类拔萃的开关损耗和导通损耗
- 高阈值电压,Vth > 4 V
- 0V关断栅极电压,实现简单的栅极驱动
- 宽栅源电压范围
- 坚固的低损耗体二极管,适用于硬开关
- 关断损耗受温度影响小
- .XT扩散焊技术,可实现一流的热性能
IMW120R014M1H优势
- 最高效率
- 减少冷却工作
- 更高频率的运行
- 增加功率密度
- 降低系统的复杂程度
IMW120R014M1H规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
独联体 | 4580 pF |
输出电容 | 211 pF |
ID(@25°C) | 127 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
ptt (@ TA=25°C) | 455 W |
包 | TO-247-3 |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
路上 | 110 nC |
Qgd | 32 nC |
资格 | Industrial |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 14 mΩ |
RthJA | 62 K/W |
RthJC | 0.33 K/W |
Tj | 175 °C |
VDS公司 | 1200 V |
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