IPB60R360CFD7前往购买
IPB60R360CFD7中文规格_产品特征_原装现货
IC先生 网络 85 2023-12-08 16:14:30
英飞凌600V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB60R360CFD7，采用 D2PAK 封装，非常适用于高功率开关式电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。 作为CFD2超结 MOSFET 系列 的后继产品，与竞品相比，它减少了栅极电荷，改善了关断行为，并减少了高达 69％ 的反向恢复电荷。
IPB60R360CFD7的特性
- 超快体二极管
- 出色的反向恢复电荷 (Qrr)
- 增强了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
- 极低的 FOM RDS(on) x Qg 和 EOSS
- 出众的RDS(on)/封装组合
IPB60R360CFD7优势
- 出色的硬换向耐用性
- 可靠性较高，适用于谐振拓扑结构
- 兼顾高效率与易用性/性能权衡
- 可实现更高功率密度解决方案
IPB60R360CFD7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 7 A |
| ID | 7 A |
| IDpuls | 24 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 43 W |
| 包 | D2PAK (TO-263) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 14 nC |
| 路上 | 14 nC |
| RDS (on) (@10V) | 360 mΩ |
| RDS(上) | 360 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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