IQE046N08LM5前往购买
IQE046N08LM5产品规格_功能特性_原装销售
IC先生 网络 56 2023-12-08 11:07:06
IQE046N08LM5是英飞凌全新的同类最佳的optimos™5功率MOSFET 80 v逻辑电平,采用PQFN 33 x33源头沿着封装,在25˚C时提供业界最低的导通状态电阻RDS(上)和卓越的散热性能optimos™来源——下来是一项革命性的技术,内置翻转硅芯片,具有更好的热性能,更高的功率密度和改进的布局可能性等优点结合工业标准PQFN 33 x33封装,IQE046N08LM5是针对高功率密度和高性能的议员产品常见的智能命令和数据服务器。
IQE046N08LM5的特性
IQE046N08LM5优势
IQE046N08LM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 99 A |
| IDpuls | 396 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 100 W |
| 包 | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 38 nC |
| QG (type @4.5V) | 19 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 5.9 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 4.6 mΩ |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
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