IPL60R105P7前往购买
IPL60R105P7产品参数_产品特征_现货出售
IC先生 网络 38 2023-12-08 17:06:45
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
IPL60R105P7的特性
效率
- 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
- 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s
- 集成栅极电阻器 R G
- 坚固体二极管
- 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
- 标准级和工业级部件可供选择
IPL60R105P7优势
效率
- 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率
使用方便
- 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性
- 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度
- MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
- 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
- 广泛适用于各种终端应用和输出功率
- 可选部件适用于消费和工业应用
IPL60R105P7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.91 |
| 独联体 | 1952 pF |
| 输出电容 | 33 pF |
| ID(@25°C) | 33 A |
| ID | 33 A |
| IDpuls | 100 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 137 W |
| 包 | ThinPAK 8x8 |
| 销数 | 5 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 45 nC |
| 路上 | 45 nC |
| Qgd | 14 nC |
| RDS (on) (@10V) | 105 mΩ |
| RDS(上) | 105 mΩ |
| 仅仅 | 0.91 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.91 K/W |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
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