IPT010N08NM5前往购买
IPT010N08NM5产品参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 86 2023-12-08 16:47:33
IPT010N08NM5 是英飞凌同类产品中最好的 80V 功率 MOSFET，采用TO-Leadless (TOLL) 封装， 在 25˚C 和 175˚C 条件下具备业界最低的导通电阻 RDS(on)。 OptiMOS™ 5 硅技术是英飞凌最新一代的功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。 得益于 TOLL 封装，IPT010N08NM5 适用于高电流应用（高达 425 A），如叉车、轻型电动车 (LEV)、低压驱动器和电池管理系统 (BMS)。
IPT010N08NM5的特性
- 低栅极电荷 (Qg) 和输出电容
- 在 25˚C 和 175˚C 时，RDS(on) 很低
- 高额定电流
- 同步整流优化
- 高频开关的理想选择
IPT010N08NM5优势
- 提高功率密度
- 低电压过冲
- 减少并联的需要
- 最高系统效率
- 降低开关和传导损耗
IPT010N08NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 36-48 V |
| 预算价格€/ 1000 | 3.13 |
| ID | 425 A |
| ID(@25°C) | 425 A |
| IDpuls | 1700 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 375 W |
| 包 | TOLL (HSOF-8) |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 178 nC |
| QG(类型@10V) | 178 nC |
| RDS(上) | 1.05 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.05 mΩ |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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