IPD60R600PFD7S前往购买
IPD60R600PFD7S产品参数_功能特性_原装销售
IC先生 网络 53 2023-12-08 12:38:42
600 v CoolMOS™PFD7超结MOSFET (IPD60R600PFD7S)补充了面向消费者应用的CoolMOS™7产品-252 DPAK封装中的IPD60R600PFD7S具有600莫姆的RDS(上),可实现低开关损耗该产品配有集成的快速体二极管,确保器件坚固耐用快速体二极管和英飞凌业界领先的SMD封装减少了PCB空间,从而降低了客户的材料成本该产品系列专为超高功率密度和最高效率设计而定制该产品主要针对超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器与CoolMOS™P7和CE MOSFET技术相比,600 v CoolMOS™PFD7提供了改进的轻负载和满载效率,从而将功率密度提高了18 w / inch3。
IPD60R600PFD7S的特性
IPD60R600PFD7S优势
IPD60R600PFD7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 6 A |
| ID | 6 A |
| IDpuls | 14 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 31 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 8.5 nC |
| 路上 | 8.5 nC |
| RDS (on) (@10V) | 600 mΩ |
| RDS(上) | 600 mΩ |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
