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2ED24427N01F规格参数_产品特点_现货出售

IC先生 网络 89 2023-12-09 16:42:13

EiceDRIVER™24 V双通道低侧非反相栅驱动器用于mosfetsorigbts,具有典型的10源和吸收电流,采用DSO-8封装,具有热效率高的外暴露电源垫2 ed24427n01f,可在多种应用中实现更高的功率和更快的开关频率,同时通过简化高功率密度系统设计,减少PCB占地面积并提高可靠性2 ed24427n01f是一款低压、功率MOSFET和IGBT非反相栅极驱动器专有的闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片结构逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出输出驱动器具有一个电流缓冲级输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉导通两个信道之间的传播延迟是匹配的内部VCC电路提供欠电压锁定保护,保持输出低,直到VCC电源电压在工作范围内eval2ed2101 - hb公司具有驱动初级半桥的2 ed2101s06fsoi电平移位栅极驱动器和带脉冲变压器的双通道低侧栅极驱动器2 ed24427n01f,以确保次级整流级的控制信号隔离它旨在展示在llc转换器设计中使用高达500 kHz的高开关频率,轻负载爆发高于600 kHz,以提供系统优势,例如降低EMI,。


2ED24427N01F


2ED24427N01F的特性

  • 10a汇聚和10a源驱动能力(典型)
  • 11.5 V欠压闭锁
  • 最大供电电压24v
  • 使函数
  • CMOS施密特触发输入
  • 输出与输入同相
  • 3.3 V, 5v和15v输入逻辑兼容
  • PSOIC-8封装与热垫
  • 2kv HBM ESD

  • 2ED24427N01F


    2ED24427N01F优势

  • 高功率或并联mosfet和igbt或模块(如EasyPACK™或EconoPACK™)的大驱动能力
  • 热效率高的PDSO-8封装提高了可靠性和整体满负荷系统效率
  • 通过每个通道并联多个开关(例如同步整流)可以降低系统成本。
  • 通过减少各种电力电子并联应用中所需的低电流(例如5 A)低侧栅极驱动器的数量,可以降低系统成本和尺寸

  • 2ED24427N01F规格参数

    产品属性属性值
    渠道2
    配置Low-side
    输入电源电压 12.6 V   20 V
    隔离型Non-isolated
    输出电流(源)10 A
    输出电流(吸收)10 A
    关闭传播延迟55 ns
    打开传播延迟40 ns
    VBS UVLO(关闭)11.5 V
    VCC UVLO(关闭)11.5 V
    电压等级24 V
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