IPD60R2K0PFD7S前往购买
IPD60R2K0PFD7S产品规格_产品特点_现货出售
IC先生 网络 96 2023-12-09 14:14:07
600 v CoolMOS™PFD7超结MOSFET (IPD60R2K0PFD7S)补充了面向消费者应用的CoolMOS™7产品-252 DPAK封装中的IPD60R2K0PFD7S具有2000莫姆的RDS(上),可实现低开关损耗实现的快速体二极管确保了坚固的器件,从而减少了客户的物料清单(BOM)此外,我们业界领先的SMD封装产品有助于节省PCB空间并简化制造该产品系列专为超高功率密度和最高效率设计而定制该产品主要针对超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器与CoolMOS™P7和CE MOSFET技术相比,600 v CoolMOS™PFD7提供了改进的轻负载和满载效率,从而将功率密度提高了18 w / inch3。
IPD60R2K0PFD7S的特性
IPD60R2K0PFD7S优势
IPD60R2K0PFD7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 3 A |
| ID(@25°C) | 3 A |
| IDpuls | 4.5 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 20 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 3.8 nC |
| RDS(上) | 2000 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 2000 mΩ |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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