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ISP12DP06NM产品规格_功能特性_原装销售

IC先生 网络 53 2023-12-09 17:38:51

说- 223封装的OptiMOS™p通道60 v mosfet非常适合负载开关,电池管理以及反极性保护应用OptiMOS™p沟道mosfet的主要优点是简化了中低功耗应用的设计复杂性英飞凌的OptiMOS p沟道mosfet与微控制器(单片机)的简单接口,快速开关以及雪崩坚固性使其适合高质量要求的应用由于低路上,该产品在低负载下提高了效率有正常电平和逻辑电平两种,具有宽RDS(上)范围。


ISP12DP06NM


ISP12DP06NM的特性

  • 大部分产品符合AEC Q101标准
  • VDS = -60v
  • 宽RDS(on)范围
  • Normal Level和Logic Level可用性

  • ISP12DP06NM优势

  • 简单的MCU接口
  • 由于低Qg,在低负载下提高了效率
  • 快速切换
  • 雪崩强度

  • ISP12DP06NM规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.32
    ID(@25°C) -2.8 A
    IDpuls -11.2 A
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 4.2 W
    SOT-223
    极性P
    QG(类型@10V)-20.2 nC
    RDS (on) (@10V) 125 mΩ
    特殊功能Small Signal
    VDS公司 -60 V
    vg (th) -2.1 V   -4 V
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