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IMZA120R030M1H中文规格_功能图_原装现货
IC先生 网络 42 2023-12-09 10:32:09
ecoolsic™1200 V, 30 mΩSiC MOSFETin 247 - 4封装基于最先进的沟槽半导体工艺,经过优化,可将性能与可靠性相结合与传统的基于硅(Si)的开关(如igbtand MOSFET)相比,SiC MOSFET具有一系列优势这些特性包括:1200 V开关中最低的栅极电荷和器件电容水平,内部防换体二极管无反向恢复损耗,不依赖温度的低开关损耗和无阈值导通状态特性CoolSiC™MOSFET是功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑和直流-直流转换器或直粱逆变器等硬开关和谐振开关拓扑的理想选择我们的SiC MOSFET为- 247 4引脚封装减少了门电路上的寄生源电感效应,实现了更快的开关和更高的效率。
IMZA120R030M1H的特性
IMZA120R030M1H优势
IMZA120R030M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 2160 pF |
| 输出电容 | 99 pF |
| ID(@25°C) | 70 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 273 W |
| 包 | TO-247-4 |
| 销数 | 4 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 52 nC |
| Qgd | 15 nC |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 30 mΩ |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.55 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 1200 V |
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