2ED21064S06J前往购买
2ED21064S06J规格参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 40 2023-12-09 08:22:27
650 V高边和低边高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有典型的0.29A拉电流、0.7A灌电流，采用DSO-14 封装。另外还提供更小巧的DSO-8 封装产品：2ED2106S06F。
它们基于英飞凌SOI工艺，拥有出色的耐用性和抗噪性，可耐受VS引脚上的负瞬态电压。该器件无寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不存在寄生锁存效应。
2ED21064S06J的特性
- 工作电压（VS节点）最大+ 650 V
- 100 V的负VS瞬态抗扰性
- 集成超快速、低电阻自举二极管，降低BOM成本
- 浮动沟道专为自举操作而设计
- 高压和低压引脚分开，以实现最大爬电距离和电气间隙
- 分离逻辑和电源接地，缩短栅极回路
- 针对两个沟道的独立欠压锁定（UVLO）
- 200纳秒传播延迟
- HIN、LIN逻辑输入
- 25 V最大供电电压
- VS引脚上逻辑操作电压达–11 V
- 输入端负电压容差为–5 V
- 浮动沟道可用于驱动N沟道MOSFET、SiC MOSFET或高边IGBT
2ED21064S06J优势
- 集成自举二极管（BSD）—节省空间、降低BOM成本、PCB更小，以更低成本实现更简单的设计
- 电平转换损耗降低50%
- 出色的耐用性和抗噪性，可耐受VS引脚上的负瞬态电压（-100 V）
2ED21064S06J规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 渠道 | 2 |
| 配置 | High-side and low-side |
| 输入电源电压 | 10 V 20 V |
| 隔离型 | Functional levelshift |
| 输出电流(吸收) | 0.7 A |
| 输出电流(源) | 0.29 A |
| 关闭传播延迟 | 200 ns |
| 打开传播延迟 | 200 ns |
| VBS UVLO(开) | 8.2 V |
| VBS UVLO(关闭) | 7.2 V |
| VCC UVLO(开) | 9.1 V |
| VCC UVLO(关闭) | 8.2 V |
| 电压等级 | 650 V |
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