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IMZ120R030M1H中文规格_功能图_原装供应
IC先生 网络 37 2023-12-09 17:03:10
IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
IMZ120R030M1H的特性
- 一流的开关和导通损耗
- 基准高阈值电压，Vth > 4 V
- 0V关断栅极电压，简单轻松地进行栅极驱动
- 栅源电压范围宽
- 损耗低且牢固的体二极管，可用于硬换向
- 开关关断损耗不受温度影响
- 驱动源引脚，优化开关性能
IMZ120R030M1H优势
- 最高效率
- 减少了冷却工作
- 提高了操作频率
- 增加了功率密度
- 降低了系统的复杂程度
IMZ120R030M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 2120 pF |
| 输出电容 | 116 pF |
| ID(@25°C) | 56 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot(@25°C) | 227 W |
| 包 | TO-247-4 |
| 销数 | 4 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@18V) | 63 nC |
| Qgd | 15 nC |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 30 mΩ |
| RDS (on) (@18V) | 30 mΩ |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.66 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 1200 V |
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