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AIMBG120R020M1中文参数_产品特性_现货专卖
IC先生 网络 65 2023-12-09 12:49:26
凭借英飞凌的性能优化芯片技术(Gen1p), SiC Mosfet具有一流的开关性能,抗寄生导通的稳稳性,以及改进的RDSon和仅仅(j)高功率密度,卓越的效率,双向充电能力和显著降低的系统成本,使其成为车载充电器和DCDC应用的理想选择。
AIMBG120R020M1的特性
AIMBG120R020M1优势
AIMBG120R020M1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 独联体 | 2667 pF |
| 输出电容 | 126 pF |
| ID(@25°C) | 104 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| ptt (@ TA=25°C) | 468 W |
| 包 | TO-263-7 |
| 极性 | N |
| 路上 | 82 nC |
| 资格 | Automotive |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 19 mΩ |
| RthJC | 0.32 K/W |
| VDS公司 | 1200 V |
| vg, | 20 |
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芯片
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