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IPLK70R1K4P7产品参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 102 2023-12-09 08:27:30
CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑战，具备卓越的性能和易用性，更小的外形尺寸和更高的价格竞争力。ThinPAK 5x6 封装的特点是占用空间非常小，仅为 5x6 mm²，低剖面高度仅为 1 mm。再加上其标杆的低寄生效应，正是这些特点造就了其更小的外形尺寸，同时还有助于提高功率密度。此组合使ThinPAK 封装中的 CoolMOS™P7成为了其目标应用的完美选择。700V CoolMOS™ P7 系列针对反激式拓扑结构进行了优化。
IPLK70R1K4P7的特性
- 出色的 FOM RDS(on) * Eoss；降低的 Qg、 Ciss 和 Coss
- 出色的 1400mΩ DPAK RDS(on)
- 出色的 3V V(GS)th 和最小的 ± 0.5V V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管 ESD 保护达到 2 级 (HBM)
- 出色的品质和可靠性
- 低 EMI
- 宽范围的 RDS(on) 值
- 完全优化的产品系列
IPLK70R1K4P7优势
- 与 CoolMOS™ C3 相比，效率提高了 0.1% 至 0.6%，MOSFET 温度降低了 2°C 至 8°C
- 可实现更高功率密度设计、BOM 节省和更低的装配成本
- 易于驱动和设计
- 与最新的 CoolMOS™ 充电器技术相比，功率密度有所提高
- 通过减少 ESD 相关故障以提高产量
- 减少生产问题，减少现场失效
- 易于选择正确的部件进行调谐设计
IPLK70R1K4P7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 3.9 A |
| ID | 3.9 A |
| IDpuls | 8.2 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 22.7 W |
| 包 | ThinPAK 5x6 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 4.7 nC |
| 路上 | 4.7 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1400 mΩ |
| RDS(上) | 1400 mΩ |
| VDS公司 | 700 V |
| vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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