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IRFU120N中文规格_功能特性_现货出售

IC先生 网络 115 2023-12-09 10:23:32

红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。


IRFU120N


IRFU120N的特性

  • 面向广泛SOA的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品质量符合JEDEC标准
  • 硅优化的应用切换低于100kHz
  • 行业标准通孔电源封装

  • IRFU120N优势

  • 增加了强度
  • 广泛的分销合作伙伴可用性
  • 行业标准资质等级
  • 在低频应用中具有高性能
  • 标准引脚允许在更换下降

  • IRFU120N规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.3
    ID(@25°C) 9.4 A
    越来越多的THT
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 39 W
    IPAK (TO-251)
    极性N
    QG(类型@10V)16.7 nC
    Qgd7.3 nC
    RDS (on) (@10V) 210 mΩ
    RthJC 3.2 K/W
    Tj 175 °C
    VDS公司 100 V
    vg (th) 3 V   2 V   4 V
    vg 20 V
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    IRFU120N中文规格_功能特性_现货出售


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    文章标签: 芯片
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