STM32F723ZE产品规格_产品符号_原装销售
IC先生 网络 68 2023-12-21 15:52:04
概述
STM32F722xx和STM32F723xx器件基于高性能Arm
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皮质
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-M7 32位RISC内核,工作频率高达216mhz。
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-M7内核具有支持Arm的单浮点单元(SFPU)精度
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单精度数据处理指令和数据类型。
STM32F722xx和STM32F723xx器件采用高速嵌入式存储器,具有高达512 kb的闪存、256 kb的SRAM(包括用于关键实时数据的64 kb数据TCM RAM)、16 kb的指令TCM RAM(用于关键实时例程)、4 kb的备份SRAM,可用于最低功耗模式,以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线、两个AHB总线的外设。
所有器件提供三个12位adc,两个dac,一个低功耗RTC, 13个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器),两个通用32位定时器,一个真正的随机数发生器(RNG)。
STM32F723ZE符号图
STM32F723ZE功能参数
- 核心:Arm®32位Cortex®-M7 CPU,带有FPU,自适应实时加速器(ART加速器)和L1-cache: 8 kb的数据缓存和8 kb的指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器执行0等待状态,频率高达216 MHz, MPU, 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)和DSP指令。
- 记忆
- 高达512 kb的闪存,具有保护机制(读写保护,专有代码读出保护(PCROP))
- 528字节的OTP内存
- SRAM: 256kb(包括64kb的数据TCM RAM,用于关键的实时数据)+ 16kb的指令TCM RAM(用于关键的实时例程)+ 4kb的备份SRAM(在最低功耗模式下可用)
- 灵活的外部存储器控制器,最多32位数据总线:SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND存储器
- 双模Quad-SPI
- 时钟,复位和供应管理
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- USB专用电源
- 4- 26兆赫晶体振荡器
- 内部16 MHz工厂修整RC(1%精度)
- 32 kHz RTC振荡器与校准
- 内部32 kHz RC与校准
- 低功耗
- 睡眠,停止和待机模式
- VBAT为RTC提供,32×32位备份寄存器+ 4kb的备份SRAM
- 3×12-bit, 2.4 MSPS ADC:最多24通道和7.2 MSPS三交织模式
- 2×12-bit D/A转换器
- 多达18个定时器:多达13个16位(1x低功耗16位定时器在停止模式下可用)和两个32位定时器,每个定时器最多4个IC/OC/PWMs或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入。
- 通用DMA:具有fifo和突发支持的16流DMA控制器
- 调试模式
- SWD和JTAG接口
- Cortex®-M7 Trace Macrocell™
- 多达140个具有中断能力的I/O端口
- 多达136个快速I/ o,最高可达108 MHz
- 最多138.5 v容错I/ o
- 多达21个通信接口
- 最多3× I2C接口(SMBus/PMBus)
- 最多4个USARTs/4个UARTs (27mbit /s, ISO7816接口,LIN, IrDA,调制解调器控制)
- 多达5个spi(最高54 Mbit/s), 3个通过内部音频锁相环或外部时钟实现音频级精度
- 2个sai(串行音频接口)
- 1个CAN (2.0B激活)
- 2个sdmmc
- 先进的连通性
- 带有片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器
- USB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器,具有专用DMA,片上全速PHY和片上高速PHY或ULPI,具体取决于部件号
- 真随机数发生器
- CRC计算单元
- RTC:亚秒精度,硬件日历
- 96位唯一ID
STM32F723ZE引脚图
STM32F723ZE 3D图
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