首页 > 新闻资讯 > 新闻详情

STM32F723VE产品参数_产品特征_现货出售

作者： IC先生来源：网络浏览量：40 时间：2023-12-21 08:17:23

概述

STM32F722xx和STM32F723xx器件基于高性能Arm

皮质

-M7 32位RISC内核，工作频率高达216mhz。

-M7内核具有支持Arm的单浮点单元(SFPU)精度

单精度数据处理指令和数据类型。

STM32F722xx和STM32F723xx器件采用高速嵌入式存储器，具有高达512 kb的闪存、256 kb的SRAM(包括用于关键实时数据的64 kb数据TCM RAM)、16 kb的指令TCM RAM(用于关键实时例程)、4 kb的备份SRAM，可用于最低功耗模式，以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线、两个AHB总线的外设。

所有器件提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC, 13个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)，两个通用32位定时器，一个真正的随机数发生器(RNG)。

STM32F723VE符号图

STM32F723VE

STM32F723VE功能参数

核心:Arm®32位Cortex®-M7 CPU，带有FPU，自适应实时加速器(ART加速器)和L1-cache: 8 kb的数据缓存和8 kb的指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器执行0等待状态，频率高达216 MHz, MPU, 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)和DSP指令。
记忆
- 高达512 kb的闪存，具有保护机制(读写保护，专有代码读出保护(PCROP))
- 528字节的OTP内存
- SRAM: 256kb(包括64kb的数据TCM RAM，用于关键的实时数据)+ 16kb的指令TCM RAM(用于关键的实时例程)+ 4kb的备份SRAM(在最低功耗模式下可用)
- 灵活的外部存储器控制器，最多32位数据总线:SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND存储器
双模Quad-SPI
时钟，复位和供应管理
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
- USB专用电源
- 4- 26兆赫晶体振荡器
- 内部16 MHz工厂修整RC(1%精度)
- 32 kHz RTC振荡器与校准
- 内部32 kHz RC与校准
低功耗
- 睡眠，停止和待机模式
- VBAT为RTC提供，32×32位备份寄存器+ 4kb的备份SRAM
3×12-bit, 2.4 MSPS ADC:最多24通道和7.2 MSPS三交织模式
2×12-bit D/A转换器
多达18个定时器:多达13个16位(1x低功耗16位定时器在停止模式下可用)和两个32位定时器，每个定时器最多4个IC/OC/PWMs或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入。
通用DMA:具有fifo和突发支持的16流DMA控制器

调试模式
- SWD和JTAG接口
- Cortex®-M7 Trace Macrocell™
多达140个具有中断能力的I/O端口
- 多达136个快速I/ o，最高可达108 MHz
- 最多138.5 v容错I/ o
多达21个通信接口
- 最多3× I2C接口(SMBus/PMBus)
- 最多4个USARTs/4个UARTs (27mbit /s, ISO7816接口，LIN, IrDA，调制解调器控制)
- 多达5个spi(最高54 Mbit/s)， 3个通过内部音频锁相环或外部时钟实现音频级精度
- 2个sai(串行音频接口)
- 1个CAN (2.0B激活)
- 2个sdmmc
先进的连通性
- 带有片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器
- USB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器，具有专用DMA，片上全速PHY和片上高速PHY或ULPI，具体取决于部件号
真随机数发生器
CRC计算单元
RTC:亚秒精度，硬件日历
96位唯一ID