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IPTG007N06NM5产品参数_产品特性_原装销售

IC先生 网络 106 2023-12-09 08:37:46

OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG007N06NM5 采用改良的翼型引脚 TO-Leadless 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leaded 封装尺寸互相兼容,与 D2PAK 7 引脚相比,TOLG 封装具有出色的电器性能,同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™ 5 - 60 V 的新型封装具有非常低的 RDS(on) ,而且经过优化,可处理大于 300 A 的高电流。

得益于翼型引脚的灵活性,采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在铝基板上表现出了优异的焊点可靠性。因此,与标准要求 (IPC-9701) 相比,板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。

TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。


IPTG007N06NM5


IPTG007N06NM5的特性

  • 最佳的技术
  • 高额定电流>300 A
  • 低振铃和电压过冲
  • 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60%
  • 翼型引脚

IPTG007N06NM5优势

  • 高性能能力
  • 系统可靠性高
  • 高效率和低电磁干扰
  • 优化电路板利用率
  • 板上温度循环性能高

IPTG007N06NM5规格参数

产品属性属性值
电池电压24-36 V
预算价格€/ 10002.83
ID(@25°C) 454 A
IDpuls 1816 A
越来越多的SMT
工作温度 -55 °C   175 °C
Ptot 375 W
TOLG (HSOG-8)
销数8 Pins
极性N
QG(类型@10V)216 nC
RDS (on) (@10V) 0.75 mΩ
VDS公司 60 V
vg (th) 2.8 V   2.1 V   3.3 V
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