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1ED3830MC12M产品参数_功能特性_原装供应

IC先生 网络 108 2023-12-09 10:37:02

EiceDRIVER™增强3,57 kV单通道高度灵活的隔离栅极驱动器,具有±3典型的下降和源峰值输出电流,小型节省空间的DSO-16细间距宽体封装,具有大的钻距(> 8毫米)所有参数调整都是通过I2C接口(引脚SDA和sci)从输入端完成的1 ed3830适用于igbt,碳化硅和硅mosfet数字可配置方法使客户能够在复杂的工业系统中进行预测性维护例如,1 ed38xx能够记录UVLO尖峰的计数,监控电源电压和温度的增加通过对收集到的数据进行长期分析,客户能够在系统发生故障之前决定何时是安排维护周期的最佳时间I2C接口还可实现无需硬件更改的快速原型设计1 ed3431 (X3模拟)版本,具有有米勒源钳(用于外部mosfet的钳位驱动器),可调DESAT和软关闭。


1ED3830MC12M


1ED3830MC12M的特性

  • 高度灵活的EiceDRIVER™增强型单通道隔离栅极驱动器1ED38xx系列(X3数字系列)
  • 适用于650v / 1200v / 1700v / 2300v igbt, Si和SiC mosfet
  • 2300 V功能失调电压,可用于选定的应用
  • ±3典型的下沉和源峰值输出电流
  • 40 V绝对最大输出电源电压
  • 独立的源和汇输出与两级关断
  • 主动米勒钳
  • 精确和温度补偿VCEsat检测(DESAT)与故障输出
  • 去饱和检测后,IGBT软关断
  • FLT和RDY状态信令到µController
  • 从输入端通过I2C总线进行参数调整:
  • 欠压闭锁(UVLO)
  • 主动米勒钳
  • DESAT保护
  • 软关闭
  • 二级关闭
  • 过温停机

  • 1ED3830MC12M


    1ED3830MC12M优势

  • 160℃(±10℃)超温停机
  • 严格的ic到ic传播延迟匹配(最大30 ns)
  • 高共模暂态抗扰度CMTI > 200kv /μs
  • 适合在高达125°C的高环境温度下工作
  • 小型节省空间DSO-16小间距宽体封装,爬电距离大(> 8mm)
  • UL 1577 VISO = 6.84 kV (rms)持续1秒,5.7 kV (rms)持续1分钟
  • 由于低外部元件数量和可调的软关闭DESAT,可实现快速设计周期和同类最佳的DESAT精度
  • IEC 60747-17/VDE 0884-11, VIORM = 1767 V(峰值,增强)
  • 精确的阈值和时序,结合UL 1577和IEC 60747-17/VDE 0884-11认证,可实现卓越的应用安全性
  • 完美适合所有需要可靠的DESAT保护的应用,受益于有源米勒钳,更喜欢小的PCB空间要求

  • 1ED3830MC12M规格参数

    产品属性属性值
    渠道1
    配置High-side
    输入电源电压 3 V   6.5 V
    隔离型Galvanic isolation - Reinforced
    输出电流(源)3.8 A
    输出电流(吸收)2.5 A
    关闭传播延迟236 ns
    打开传播延迟244 ns
    VBS UVLO(开)12 V
    VBS UVLO(关闭)11 V
    VCC UVLO(开)2.95 V
    VCC UVLO(关闭)2.8 V
    电压等级2300 V
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