2N7002WT1G前往购买
现货2N7002WT1G引脚框图_规格参数_数据手册
IC先生 IC先生 82 2023-12-08 15:00:50
2N7002WT1G是一种N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（N-channel MOSFET），N沟道型意味着它的导电性是通过电子的流动来实现的。
2N7002WT1G主要用于低功耗电子设备中的开关应用，例如电源管理、信号开关等。该器件采用SOT-323封装和3D STEP模型。
规格参数
功能特性
- EESD保护
- RRDS低（打开）
- 小型表面安装封装
- 汽车和其他需要唯一的应用程序的2V前缀
- 现场和控制变更要求；AEC−Q101合格且具备PPAP能力
- 这些设备不含铅、无卤素/BFR，符合RoHS
等效和替代型号包括2N7002WT3G、BSS84PWL6327、BSS138WH6433XTMA1。
引脚配置
2N7002WT1G是一种三引脚的MOSFET，其引脚配置如下：
-
引脚1（栅极 - Gate, G）：用于控制MOSFET的导电性，通过在这个引脚上施加适当的电压，可以控制源极和漏极之间的电流流动。
-
引脚2（源极 - Source, S）：电流流入或流出的地方，在电路中，通常连接到电源的地。
-
引脚3（漏极 - Drain, D）：MOSFET的漏极，电流通过这个引脚流入或流出。在电路中，通常连接到负载或电源。
简化原理图
传输特性
导通电阻与栅极-源极电压
漏极-源极泄漏电流与电压
封装设计参数
应用领域
- 低侧负载开关
- 电平移位电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用程序，如DSC、PDA、手机等。
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
晶体管
热点资讯
