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2N7002ET1G管脚图_规格参数_代换型号
IC先生 IC先生 97 2023-12-08 15:33:52
2N7002ET1G是一种N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（N-channel MOSFET），通常用于低功耗电子设备中的开关应用。
2N7002ET1G是一种场效应晶体管，其导电性是通过控制栅极电场来调控沟道中的载流子（电子）流动。适当的栅极电压可以控制沟道的导电性，从而实现开关功能。该器件广泛应用于工业、消费电子产品。
规格参数
功能特性
- 低RDS(on)
- 占用面积小的表面安装封装
- 沟槽技术
- 汽车和其它需要独特现场和控制变更要求的应用程序的S前缀；AEC−Q101合格且具备PPAP能力
- 设备不含Pb−、无卤素/BFR，符合RoHS标准
等效和替代型号包括2N7002E、2N7002E、215、2N7002LT3、2N7002T、2N7002TC、2N7002TT1T2、2N7002E-7、2N7002-T、2N7002KQ-13、2N7002FN3_R1_10001。
引脚配置
2N7002WT1G是一种三引脚的MOSFET，其引脚配置如下：
-
引脚1（栅极 - Gate, G）：用于控制MOSFET的导电性，通过在该引脚上施加适当的电压，可以控制源极和漏极之间的电流流动。
-
引脚2（源极 - Source, S）：电流流入或流出的地方。在电路中，通常连接到电源的地。
-
引脚3（漏极 - Drain, D）：电流通过这个引脚流入或流出。在电路中，通常连接到负载或电源。
简化示意图
导通电阻与漏极电流和温度
电容变化特性
温度与栅极阈值电压
封装设计参数
典型应用
- 低侧负载开关
- 电平移位电路
- 直流-直流转换器
- 便携式应用程序，如DSC、PDA、手机等
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文章标签:
晶体管
