STGB30H60DFB前往购买
STGB30H60DFB功能参数_功能图_原装销售
IC先生 网络 45 2023-12-15 17:22:47
概述
这些器件是采用先进的专有沟槽栅场阻结构开发的igbt。
CE(坐)
温度系数和非常严密的参数分布使并联运行更加安全。
STGB30H60DFB符号图
STGB30H60DFB功能参数
- 最高结温:TJ = 175℃
- 高速开关系列
- 尾电流最小
- 低饱和电压:VCE(sat) = 1.55 V(类型)@ IC = 30 A
- 严密的参数分布
- 安全的并联
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 非常快的软恢复反平行二极管
STGB30H60DFB引脚图
STGB30H60DFB 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
