STL320N4LF8前往购买
STL320N4LF8产品规格_符号图_原装销售
IC先生 网络 103 2023-12-16 08:36:24
概述
N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。
产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。
STL320N4LF8符号图
STL320N4LF8功能参数
- MSL1级
- 175 °C工作温度
- 经过100％雪崩测试
STL320N4LF8引脚图
STL320N4LF8 3D图
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文章标签:
芯片
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