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STB130N6F7功能参数_产品功能_现货出售

IC先生 网络 69 2023-12-16 13:35:13

概述

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

STB130N6F7符号图

STB130N6F7

STB130N6F7功能参数

  • 处于市场上最低 RDS(on) 的行列
  • 出色的品质因数(FoM)
  • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
  • 坚固的抗雪崩能力

STB130N6F7引脚图

STB130N6F7

STB130N6F7 3D图

STB130N6F7

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文章标签: 芯片
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