STGW8M120DF3前往购买
STGW8M120DF3中文参数_产品符号_原装现货
IC先生 网络 107 2023-12-15 17:55:50
概述
这些器件是采用先进的专有沟槽栅场阻结构开发的igbt。
CE(坐)
温度系数和严密的参数分布使并联运行更加安全。
STGW8M120DF3符号图
STGW8M120DF3功能参数
- 抗短路时间为10µs
- VCE(sat) = 1.85 V(类型)@ IC = 8a
- 严密的参数分布
- 更安全的并联
- 低热阻
- 软和非常快的恢复反平行二极管
STGW8M120DF3引脚图
STGW8M120DF3 3D图
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芯片
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