STGW30NC60KD前往购买
STGW30NC60KD中文规格_产品特点_原装现货
IC先生 网络 16 2023-12-15 17:28:58
概述
该IGBT采用先进的PowerMESH工艺，在开关性能和低导通状态行为之间实现了良好的权衡。
STGW30NC60KD符号图
STGW30NC60KD功能参数
- 低导通压降(VCE(sat))
- 耐短路时间10 μs
- 低Cres / Cies比率(无交叉导率)
- IGBT与超快速自由旋转二极管共封装
STGW30NC60KD引脚图
STGW30NC60KD 3D图
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芯片
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