STGD8NC60KD前往购买
STGD8NC60KD产品参数_引脚图_原装现货
IC先生 网络 25 2023-12-15 14:46:31
概述
该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态行为之间实现了出色的权衡。
STGD8NC60KD符号图
STGD8NC60KD功能参数
- 更低的电压降(VCE(sat))
- 非常软超快速恢复反平行二极管
- 较低的CRES / CIES比率(无交叉传导敏感性)
- 耐短路时间10µs
STGD8NC60KD引脚图
STGD8NC60KD 3D图
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芯片
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