STGW75H65DFB2-4前往购买
STGW75H65DFB2-4规格参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 100 2023-12-15 17:42:29
概述
最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场止动结构的演变。
CE(坐)
在低电流值下的行为，以及在降低开关能量方面。
STGW75H65DFB2-4符号图
STGW75H65DFB2-4功能参数
- 最高结温:TJ = 175℃
- 低VCE(sat) = 1.55 V(类型)@ IC = 75 A
- 非常快速和软恢复共封装二极管
- 尾电流最小
- 严密的参数分布
- 低热阻
- 正VCE(sat)温度系数
- 由于额外的驱动开尔文引脚，卓越的开关性能
STGW75H65DFB2-4引脚图
STGW75H65DFB2-4 3D图
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芯片
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