STD65N55F3前往购买
STD65N55F3功能参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 51 2023-12-16 12:44:15
概述
这种n沟道增强模式功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新改进，该工艺减少了关键对准步骤，提供了卓越的制造可重复性。
STD65N55F3符号图
STD65N55F3功能参数
- 标准阈值驱动
- 100%雪崩测试
STD65N55F3引脚图
STD65N55F3 3D图
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芯片
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