STB100N6F7前往购买
STB100N6F7产品规格_产品特性_原装销售
IC先生 网络 67 2023-12-16 15:35:10
概述
这款n沟道功率MOSFET采用strifet™F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通状态电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STB100N6F7符号图
STB100N6F7功能参数
- 在最低的RDS(on)在市场上
- 优秀人物(FoM)
- 低交叉/交叉比抗电磁干扰
- 高雪崩坚固性
STB100N6F7引脚图
STB100N6F7 3D图
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芯片
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