STL50DN6F7前往购买
STL50DN6F7规格参数_产品特征_原装原厂
IC先生 网络 81 2023-12-16 14:43:40
概述
该双N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STL50DN6F7符号图
STL50DN6F7功能参数
- 处于市面上最低的 RDS(on)行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
STL50DN6F7引脚图
STL50DN6F7 3D图
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芯片
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