STK130N4LF7AG前往购买
STK130N4LF7AG规格参数_产品符号_原装销售
IC先生 网络 46 2023-12-16 17:22:49
概述
该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STK130N4LF7AG符号图
STK130N4LF7AG功能参数
- 符合AEC-Q101标准
- 市场上最低的RDS(on)
- 出色的品质因数 (FoM)
- 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
STK130N4LF7AG引脚图
STK130N4LF7AG 3D图
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芯片
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