STW4N150前往购买
STW4N150功能参数_引脚图_原厂出售
IC先生 网络 16 2023-12-16 14:41:36
概述
采用整合良好的高压MESH OVERLAY工艺，意法半导体设计了一系列性能优异的超高压功率mosfet。
加强的布局加上公司专有的边缘终端结构，给出了最低的R
DS(上)
每面积，无与伦比的栅极电荷和开关特性。
STW4N150符号图
STW4N150功能参数
- 100%雪崩测试
- 高速交换
- 最小化固有电容和Qg
- TO-3PF爬电距离路径为5.4 mm(型)
- 完全隔离的TO-3PF塑料包装
STW4N150引脚图
STW4N150 3D图
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芯片
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